IGZOはa-Siに比べ電子移動度が20~50倍速く、より高性能な薄膜トランジスタ(TFT)の生産が可能になる

IGZOはa-Siに比べ電子移動度が20~50倍速く、より高性能な薄膜トランジスタ(TFT)の生産が可能になる