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ポリシリコンの形成に使われるエキシマレーザアニール技術の改良により、電子移動速度の高速化(従来の1.5倍)、ポリシリコン表面の平滑化、加工技術の微細化(4μmを3μmに)を実現。その結果、ガラス基板上の集積度と性能が向上、従来比で5倍の密度での形成が可能になったという。 こうしたプロセス技術の改良に加えて、6bit階調26万色表示を可能にするアナログ回路(DAC、増幅回路)の搭載を実現。部品点数を削減でき、低コスト化と小型軽量化を実現したとしている。 また、反射型への応用の場合、表示画素の各1ドットへ1bitのSRAMを内蔵する技術も併用できるため、静止画の表示を低電力で行なえるという。 今回の開発により同社は「ガラス基板上に形成できる回路の応用が広がり、システムオングラスの実現に大きく近づくことができた」としている。
□東芝のホームページ (2001年3月8日)
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