ソニー、PSX搭載EE+GSが130nm世代という調査会社の発表を否定

　ソニーは10月26日に、SOC(System On Chip)の開発を実現する90nmプロセスの半導体設計環境を構築し、PSXに世界初の90nmDRAM混載SOC「90nm EE+GS」を搭載すると発表している。

　ソニー広報ではSemiconductor Insightが発表した調査結果について、「EE+GS周辺のメモリに関しては、1世代前の130nmプロセス相当の技術を使用しているが、EE+GSは90nmのプロセスで設計されている。また、1チップのLSIであるため、最終的な製造も90nmのプロセス技術によって行なわれている。よって、10月26日に発表した内容に誤りはない」とした。

　また、Semiconductor Insightのレポート内容については「どのような根拠に基づいて130nm世代の技術によるLSIであると結論しているのか、調査の背景や詳細情報について、現在調査を行なっている」としている。

□ソニーのホームページ
http://www.sony.jp/
□加Semiconductor Insightsのホームページ(英文)
http://www.semiconductor.com/
□ニュースリリース(英文)
http://www.semiconductor.com/resources/press_releases/2004_01_29_1.asp
□関連記事
【リンク集】PSX関連記事
http://av.watch.impress.co.jp/
【2003年10月16日】ソニー、PSXに世界初の90nmDRAM混載SOC「90nm EE+GS」を採用
－90nm半導体設計環境によるSOC開発をスタート
http://av.watch.impress.co.jp/docs/20031016/sony.htm

(2004年2月2日)

[AV Watch編集部/furukawa@impress.co.jp]

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