東芝とNECエレ、システムLSI向け45nmプロセス技術を共同開発 －デジタル家電向けLSIなどに応用。包括提携も検討

　株式会社東芝とNECエレクトロニクス株式会社は9日、45nm世代のCMOSロジックプロセス技術を共同開発することで合意した。

　デジタル家電やモバイル、通信機器向けのシステムLSI市場では、処理能力の向上や低消費電力化のため、加工の微細化が進んでいるが、同時に開発費用や期間が増加傾向となっている。そのため、両社はシステムLSIの開発負担を分担し、開発スピードの加速や性能/品質の向上による製品競争力の強化を目指すという。

　具体的には、CMOSの基幹プロセス技術を共同開発するため、横浜市の東芝アドバンストマイクロエレクトロニクスセンターに両社の技術者を集結。開発成果となるプロセス技術は、両社がそれぞれの生産拠点で展開する。

　基幹プロセス以外の混載技術などの付加プロセスや差異化プロセスは、協議の上、個別に扱いを決めていくという。

　また、今回のプロセス共同開発を機に、設計環境や製品開発などの開発分野や、設備投資効率や稼働率の向上に向けた生産分野での協力など、より包括的な提携関係の構築についても検討を開始したとしている。

□東芝のホームページ
http://www.toshiba.co.jp/index_j3.htm
□ニュースリリース
http://www.toshiba.co.jp/about/press/2005_11/pr_j0902.htm
□NECエレクトロニクスのホームページ
http://www.necel.com/index_j.html
□ニュースリリース
http://www.necel.com/ja/news/archive/0511/0901.html

(2005年11月10日)

[AV Watch編集部/usuda@impress.co.jp]

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