住友電気、青紫レーザー用2インチGaN基板を量産開始

4月9日発表

　住友電気工業株式会社は9日、青紫色レーザーの素材となる直径2インチの窒化ガリウム(GaN)基板の量産を4月より開始したと発表した。エピタキシャル成長膜だけでなく、基板もGaNで生成できるため、転移の発生が少ないという。生産能力は月産200枚。すでにサンプル出荷している。

　Blu-ray Disc、AODなどに使用する青紫色レーザーは、窒化ガリウム(GaN)のエピタキシャル成長膜の発振を利用する。従来はサファイア基板の上でGaN発光層をエピタキシャル成長させていたが、異種材料による転移(結晶欠陥)が発生し、さらに劈開(へきかい、結晶の特定方向に沿った割れ)の性質から出力や寿命が伸びず、歩留まりの悪さにもつながっていた。

　そのため、サファイア基板を必要としない大口径のGaN基板が望まれていたが、GaN基板の製造は、窒素の分解圧力が大きいため困難とされてきた。

　同社はGaAS(ガリウムヒ素)、InP(インジウムリン化合物)などで蓄積した結晶成長技術や加工技術を用いて、結晶欠陥密度が低く、劈開性の良好な直径2インチのGaN基板を開発。基板製造の量産技術も蓄積したとし、10月には月産500枚に増強するという。

GaN基板とサファイア基板の比較

□住友電気工業のホームページ
http://www.sei.co.jp/
□ニュースリリース
http://www.sei.co.jp/news/press/03/prs285_s.html
□関連記事
【3月26日】三洋電機、世界初の2層記録向け青紫色半導体レーザー
http://av.watch.impress.co.jp/docs/20030326/sanyo.htm

(2003年4月11日)

[AV Watch編集部/orimoto@impress.co.jp]

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